Nitruro de aluminio RF MEMS Resonadores
Sandia ha desarrollado un nitruro de aluminio (AlN) el proceso para la fabricación de MEMS de RF resonadores de micro a frecuencias que van desde 1 MHz a 3 GHz. Este proceso utiliza el mismo equipo y los materiales que fueron desarrollados para fabricar FBARS (resonadores granel película acústica), que son ampliamente utilizados para aplicar duplexores teléfono celular y los filtros de 1,9 gigahertz. Como FBARS, el mecanismo de transducción piezoeléctrica de estos resonadores permite la realización de filtros de baja pérdida de inserción. A diferencia de FBARS, el proceso de Sandia AlN resonadores permite a cualquier frecuencia entre 1 MHz y 3 GHz a ser fabricados en la oblea mismo, porque la frecuencia de resonancia está determinada litografía. El proceso también incluye resonador AlN tungsteno único de Sandia moldeado (W) capacidades. La incorporación de W en el proceso de AlN elimina la necesidad de resonadores que se suspende sobre el sustrato por un cuarto de onda de las vigas. Esta es la tecnología que permite la ampliación de los resonadores AlN en el rango de GHz, sin la introducción de modos espurios, la reducción del factor de calidad (Q), y con el poder aceptable tanto para el manejo de transmitir y recibir rutas en las radios de dúplex completo. Esta tecnología es más adecuada para la realización de resonadores de 1 MHz a 3 GHz, con la Q de acercarse a 5000, y la impedancia de menos de 300 Ohms.
108 Mhz dual mode AINS RF MENS Filtro.
Medido y respuesta simulada del filtro de modo dual con impedancias
de terminacion diferentes.
Estrecho de polisilicio brecha RF MEMS Resonadores.
Un resonador de MEMS de polisilicio proceso se ha desarrollado en Sandia para la fabricación de alta Q y referencias oscilador de frecuencia intermedia (IF) de filtros. Este proceso puede lograr electrodo a resonador lagunas de menos de 100 nm, que es necesaria para reducir la impedancia de los dispositivos de capacitivamente transducida. Mientras que los resonadores de alta frecuencia puede ser aplicado en este proceso, es el más adecuado para la fabricación de resonadores debajo de los 200 MHz, porque los niveles de impedancia son significativamente más bajos en esas frecuencias. Las ventajas de estos resonadores de silicio policristalino, en comparación con resonadores piezoeléctricos microfabricated incluyen Q mucho más alto (> 60.000), de baja deriva, tunability, y la sensibilidad de vibración baja. Estas propiedades hacen que μresonators polisilicio ideal para la aplicación de los osciladores en miniatura y si los bancos de filtro para aplicaciones de RF MEMS.
Modo de 52 Mhz lame `` Polisilicon RF MENS Resonator´´
Transmision de medición de la Lame ``RF MENS Resonator´´
RF MEMS Fiabilidad
A través de la medición, la caracterización y análisis, nos proporcione retroalimentación de los clientes para mejorar el funcionamiento, rendimiento y fiabilidad de los componentes de MEMS, específicamente RF interruptores. Tenemos pruebas de capacidades en el nivel de DARPA para los interruptores MEMS (RFMIP), de 10 GHz. Hemos llevado a cabo estudios de control ambiental de la actuación del interruptor y vida útil a temperaturas de-15C a 75C, incluido el ciclo. A través de análisis de fallos, hemos trabajado con nuestros clientes para mejorar la comprensión de la operación, mecánica y eléctricamente. Hemos realizado pruebas para entender los problemas de contaminación que han causado los fallos temprana. Estamos investigando la funcionalidad y el rendimiento de las aplicaciones de sensores de RF para controlar la corrosión y para predecir fallos de los componentes críticos. Mediante la utilización de los conocimientos de MEMS y proporcionando capacidades exclusivas de medición y caracterización, que puede ser una parte integral de cualquier proyecto de MEMS.
http://www.mems.sandia.gov/about/rf-mems.html
Hermes Quiroz. Comunicaciones de RadioFrecuencias. CRF
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