domingo, 14 de febrero de 2010

configuraciones de conmutadores de MEMS

Una cuestión importante en el diseño y la fabricación de interruptores de MEMS capacitivos es el valor de la capacidad ABAJO obtenidos realmente por el cambio.Cuanto mayor sea la capacidad ABAJO, el mayor aislamiento se puede lograr en el estado DOWN. El valor de diseño de la capacidad del conmutador en el estado Abajo se calcula por medio de las simples leyes de la electrostática.

Como se ilustra en la figura inferior, a diferencia de la estructura de MEMS tradicionales interruptor, una tapa de metal y un corte de metal se han añadido justo encima de la capa de dieléctrico por medio de dos evaporaciones separar el metal. De esta manera, es posible crear una perfecta, reproducibles contacto con la superficie superior de la capa dieléctrica. Cuando la tensión de accionamiento induce el puente de metal suspendidas complemento a abajo, un camino eléctrico se crea entre el puente superior y la tapa de metal por medio de la muesca. La función de la escotadura para evitar fricción estática es posible gracias a un full metal a metal entre en contacto con la membrana superior y la tapa de metal.







RF MEMS con las líneas de tendencia separados es otro enfoque para mejorar la capacidad ABAJO. Desde el sesgo de CC se aplica desde la plataforma independiente, no es necesario el aislamiento dieléctrico entre la suspensión de la membrana y director de orquesta CPW central, como se muestra en la parcela inferior.



Inicio: Interruptor de MEMS con tapa de metal.
Abajo: conmutador MEMS con línea de polarización independientes, y S-mediciones de parámetros para la muestra fabricada.




http://my.ece.ucsb.edu/yorklab/Projects/MEMS/rf_mems.htm

Hermes Quiroz, Comunicaciones de RadioFrecuencia, CRF.


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