Pasivo subarreglos sobre la base de cambiadores de fase de MEMS de RF se puede utilizar para reducir la cantidad de módulos T / R en una matriz de lectura óptica activa. La declaración se ilustra con ejemplos en la figura. 3: asumir un uno por ocho subarreglo pasiva se utiliza para transmitir y recibir, con las siguientes características: f = 38 GHz, G r t = G = 10 dBi, AB = 2 GHz, P t = 4 W. El de baja pérdida (6,75 ps / dB) y buen manejo de potencia (500 MW) de la desfasadores RF MEMS permiten un EIRP de 40 W y un G R / T, de 0.036 1 / K. El número de elementos de la antena por subarreglo debe ser elegido con el fin de optimizar la PIRE o el G x PIRE r / t de producto, como se muestra en la figura. 3 y fig. 4. La ecuación de radar puede ser utilizado para calcular el alcance máximo para que los objetivos pueden ser detectados con 10 dB de relación señal ruido a la entrada del receptor.
en la que k B es la constante de Boltzmann, λ es la longitud de onda en espacio libre, y σ es el RCS de la meta. Rango de valores se tabulan en la Tabla 1 para los siguientes objetivos: una esfera con un radio, una de 10 cm (σ = π a 2), un reflector de esquina diedro con el tamaño de las facetas, una de 10 cm (σ = 12 A / 4 λ 2), la parte trasera de un coche (σ = 20 m 2) y para un no-contemporáneo de aviones de combate evasiva (σ = 400 m 2). Una banda Ka ESA híbrido capaz de detectar un vehículo a 100 metros por delante y la contratación de un avión de caza a 10 km se puede realizar usando 2,5 y 422 subarreglos pasivas (y módulos T / R), respectivamente.
El uso de cierto tiempo-retraso de desfasadores TTD en lugar de cambiadores de fase de RF MEMS permite ultra-wideband (UWB), el radar de onda asociada con la resolución de la gama alta, y evita haz de entrecerrar los ojos o la frecuencia de escaneo. Desfasadores TTD están diseñados utilizando el principio de línea de conmutación o la carga distribuida principio de línea. Cambiar-línea TTD desfasadores son superiores a la carga distribuida línea TTD desfasadores en términos de tiempo de retardo por la figura de ruido de decibelios (NF), especialmente en las frecuencias hasta la banda X, pero son inherentemente digital y requieren de baja pérdida y alta SPNT interruptores de aislamiento. Distribuido cargada línea TTD desfasadores, sin embargo, puede realizarse de manera análoga o digital, y en factores de forma más pequeños, lo cual es importante a nivel subarreglo. Desfasadores Devices son parciales a través de una sola línea de polarización, mientras que multibit desfasadores digitales requieren un bus paralelo, junto con sistemas de enrutamiento complejas a nivel subarreglo. Además, el uso de una tensión de polarización analógico evita errores de cuantización gran fase, que deterioran el PIRE y haz una exactitud, y elevar el nivel de lóbulos de una matriz de lectura óptica .
El estado de la técnica en el pasivo matrices de lectura óptica, que se muestra en la figura. 6, incluye una banda X talón transversal continuo (CTS) matriz alimentado por una fuente lineal sintetizado por dieciséis 5-bit reflejar tipo desfasadores RF MEMS basado en voladizo óhmico interruptores MEMS de RF, una banda X 2-D que consiste en la lente en paralelo con guías de onda de la placa y 25.000 en voladizo óhmico interruptores MEMS de RF [28], y una forma W-banda de red de conmutación de la formación de haz sobre la base de un interruptor de MEMS de RF SP4T y una lente Rotman escáner plano focal.
http://en.wikipedia.org/wiki/RF_MEMS
Hermes Quiroz. Comunicaciones de RadioFrecuencia. CRF.
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