Antenas
La polarización y la reconfiguración del patrón de radiación, y tunability frecuencia, suelen ser alcanzado por la incorporación de componentes agrupados sobre la base de la tecnología de semiconductores III-V, como único polo único tiro (SPST) interruptores o diodos varicap. Sin embargo, estos componentes pueden ser fácilmente sustituidos por conmutadores de RF MEMS y varactores con el fin de aprovechar la pérdida de inserción baja y el factor Q alto que ofrece la tecnología de MEMS de RF. Además, los componentes de MEMS de RF pueden ser integrados monolíticamente sobre sustratos de baja pérdida dieléctrica, como el vidrio borosilicato, de cuarzo o LCP, mientras que la III-V sustratos semiconductores son por lo general con pérdidas y tienen una alta constante dieléctrica. Una baja pérdida tangente y baja constante dieléctrica son de importancia para la eficiencia y el ancho de banda de la antena.
El estado de la técnica incluye una frecuencia de MEMS de RF de antenas fractales sintonizables para el rango de 0.1-6 GHz, y la integración real de RF-MEMS por cuenta propia antena de Sierpinski similares juntas para aumentar el número de sus frecuencias de resonancia, amplía su oferta a 5 GHz, 14GHz y 30GHz, un patrón de radiación de RF MEMS reconfigurable espiral de la antena de 6 y 10 GHz , un patrón de radiación de RF MEMS reconfigurable espiral de la antena para la banda de 6.7 GHz de frecuencia basadas en paquetes Radant MEMS SPST-RMSW100 interruptores, una de MEMS de RF multibanda de la antena fractal de Sierpinski, una vez más integrado con conmutadores de RF MEMS, el funcionamiento en diferentes bandas desde 2,4 hasta 18 GHz , y un 2-bit banda Ka RF MEMS frecuencia ajustable antena de ranura.
Filtros
Filtros de paso de banda de RF se utilizan para aumentar fuera de rechazo de banda, si la antena no proporciona suficiente selectividad. Fuera de rechazo de banda facilita el requisito derango dinámico de baja LNA ruido del amplificador y mezclador a la luz de la interferencia. Off-chip de radiofrecuencia basada en filtros de paso de banda de ondas acústicas de volumen despreciable (BAW), cerámica, onda acústica de superficie (SAW), cristal de cuarzo, y la película delgada resonador acústico a granel (FBAR) resonadores han superado los filtros de paso de banda de RF distribuida basada en resonadores de líneas de transmisión, imprime en sustratos con tangente de baja pérdida, o basado en cavidades de guía de onda.Resonadores de MEMS de RF ofrecen la posibilidad de integración on-chip de alta Q resonadores y filtros de paso de banda de baja pérdida. El factor Q de los resonadores de MEMS de RF está en el orden de 1000-1000 .
Filtros de paso de banda sintonizable RF ofrece una reducción de tamaño significativo sobre conmutación RF bancos de filtros de paso de banda. Pueden ser implementados utilizando III-V varactores semiconductores, BST o PZT ferroeléctricos y conmutadores de MEMS de RF, cambiaron de condensadores y varactores, y granate de itrio de hierro (YIG) ferritas. La tecnología MEMS de RF ofrece el diseñador de filtro sintonizable un comercio de peso-off entre la pérdida de inserción, la linealidad, el consumo de energía, manejo de potencia, tamaño y tiempo de conmutación.
Módulos T / R
Dentro de un T / R módulo, como se muestra en la figura. 7, limitadores de MEMS de RF, sintonizables redes de adaptación y desfasadores TTD puede ser utilizado para proteger la LNA, tirar de la carga del amplificador de potencia (PA) y el tiempo de retardo de la señal de RF, respectivamente. Si T RF MEMS / interruptores R - es decir, de un solo polo doble tiro (SPDT) interruptores, se puede utilizar depende del ciclo de trabajo y la frecuencia de repetición de impulsos(PRF) del pulso de onda de radar Doppler. Hasta la fecha, RF MEMS duplexores sólo se puede utilizar en PRF baja y media PRF formas de onda de radar para la detección de largo alcance, que utilizancompresión de impulsos y por lo tanto tienen un ciclo de trabajo en el orden de microsegundos.
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Hermes Quiroz. comunicaciones de radiofrecuencia.crf
RF MEMS Circuits. econfigurable Circuit Elements. The Resonant MEMS Switch. Capacitors. Inductors. Tunable CPW Resonator. MEMS Microswitch Arrays. Reconfigurable Circuits. Double-Stub Tuner. Nth-Stub Tuner. Filters. Resonator Tuning System. Massively Parallel Switchable RF Front Ends. True Time-Delay Digital Phase Shifters. Reconfigurable Antennas. Tunable Dipole Antennas. Tunable Microstrip Patch-Array Antennas.
domingo, 21 de marzo de 2010
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